Заключение

По итогам выпускной квалификационной работы были получены следующие результаты:

• 1) теоретически (по литературным данным) исследовано влияние температуры на характеристики МОП-транзисторов;
• 2) проанализированы литературные результаты измерений характеристик МОП-транзисторов при разной температуре различных авторов;
• 3) был доработан программно-аппаратный комплекс для измерения электрических характеристик МОП-транзисторов: была реализована возможность подавать напряжение и измерять ток с контакта к подложке;
• 4) в рамках измерительного комплекса была реализована функция автоматического регулирования полярности напряжения на затворе исследуемого субмикронного МОП-транзистора. Разработан и реализован в виде печатной платы блок смены полярности, а также изменена программно-управляемая процедура проведения измерений и записи результатов измерений в выходной файл;
• 5) проведены измерения выходных и сток-затворных характеристик субмикронных n_канальных транзисторов. По результатам измерений были построены и проанализированы графики вольт-амперных характеристик и графики изменения параметров транзисторов при повышении температуры. Из полученных характеристик видно, что с увеличением температуры для транзистора W/L=10/0,18 мкм токи утечки возрастают на 6.42 нА, в половину снижается подвижность носителей, пороговое напряжение уменьшается на 0.25 В. Для транзистора W/L=10/10 мкм токи утечки возрастают на 1.24 нА, в 0,4 раза снижается подвижность свободных носителей, пороговое напряжение уменьшается на 0.25 В;
• 6) используя экспериментальные данные, были скорректированы параметры модели BSIMSOI3; с её помощью были промоделированы 4 логические схемы: «инвертор», «инвертор 16», «2И», «сумматор». По полученным значениям определено изменение времён фронтов и задержек с увеличением температуры. Видно увеличение времен задержек в среднем на 20%-30%, времен фронтов на 37%.